ÖZ
II-VI yarıiletkenlerin opto-elektronik özellikleri onları temel fiziğin ve fiziğe dayalı cihazların ilgi odağı yapmaktadır. Son yıllarda bu tip yarıiletkenlerden olan CdS’e Mn, Fe ve Co gibi geçiş elementleri katılarak Seyreltik Manyetik Yarıiletken malzemelerin üretimi özellikle spintronik ve opto-elektronik teknolojisinde önem kazanmıştır. Bu çalışmada, Ultrasonik Kimyasal Püskürtme (UKP) tekniği ile farklı Mn miktarlarında (%10-30-50-70-90) CdS filmleri elde edilmiştir. Üretilen filmlerin bazı fiziksel özellikleri incelenerek, Mn elementinin etkisi araştırılmıştır. Cd1-xMnxS filmlerinin spektroskopik elipsometre ile kalınlıkları ve bazı optik parametreleri belirlenmiştir. Oda sıcaklığında ve farklı sıcaklıklardaki bant aralıklarının değerleri hesaplanmıştır. RAMAN spektrumlarından Mn’ın filmlerin yapısı üzerindeki etkisi belirlenmiştir. X-ışını kırınım desenlerinden, filmlerin polikristal yapıda oldukları ve %10 mangan miktarının yapısal özellikleri iyileştirmede en iyi miktar olduğu belirlenmiştir. Filmlerin yüzey özellikleri ve elemental analizleri Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) ve Enerji Dağılımlı X-ışınları Spektrometresi (EDS) ile incelenmiştir. Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM) ile filmlerin üç boyutlu yüzey topografileri ve yüzey pürüzlülükleri incelenmiştir. Filmlerin elektriksel özdirenç değerlerini belirlemek için dört-uç tekniği kullanılmıştır. Filmlerin elektriksel iletkenlik türleri sıcak-uç tekniği kullanılarak belirlenmiştir. Tüm sonuçlar fotovoltaik güneş pili uygulamaları ve opto-elektronik endüstrisi açısından değerlendirilmiş ve Mn elementinin etkisi belirlenmiştir.
0 yorum:
Yorum Gönder