ÖZ
Kuantum sınırlandırılmış sistemlerin enerji özdeğerleri ve sınırlandırma biçiminin ilgili sistemlerin temel elektriksel ve optik özellikleri üzerindeki etkisi hem deneysel hem de teorik açıdan yoğun bir araştırma konusudur. Farklı sınırlandırılmış sistemlerdeki safsızlık ve eksiton dinamiklerinin anlaşılması ve temel ve uygulamalı bilimler açısından büyük öneme sahiptir. Bu tez çalışmasında GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb, ZnS, ZnSe, CdTe, CdS, CdSe, CuCl ve Si küresel kuantum nokta yapılar dikkate alınmıştır. Küresel simetrik kuantum noktalarının merkezinde, pozitif iyon gibi davranan bir safsızlık ya da sığ donor yer alması halinde, elektronun bağlanma, taban durum ve birinci uyarılmış durum enerjileri sınırlandırıcı potansiyelin sonsuz, sonlu ve parabolik olduğu üç farklı durum için hesaplanmıştır. Yapılan hesaplamalar sonucunda küresel simetrik kuantum noktalarında gerek taban ve gerekse birinci uyarılmış durumda elektronun bağlanma enerjisinin, göz önüne alınan malzemeye ve kuantum noktasının yarıçapına önemli ölçüde bağlı olduğu görülmüştür. Bu çalışmalar neticesinde elde edilen sonuçların, literatürdeki benzer çalışmalar ile uyum içinde olduğu görülmüştür.
0 yorum:
Yorum Gönder