ÖZ
Bridgman-Stockbarger metoduna dayalı, programlanabilir doğrudan katılaştırma {Programmable Directional Freezing) tekniğiyle büyütülen GaTe tabakalı kristali üzerinde bir dizi omik kontak çalışması yapıldı. Transmission Line Method (TLM) {Ladder Network) tekniği kullanılarak yapılan spesifik omik kontak direnci ölçümlerinde kontak malzemeleri olarak in, Au, Al, Ag elementleri ve Au-In alaşımı kullanıldı. Basamaklı (ladder) yapı, gölge maske (shadow mask) kullanılarak kristal üzerine transfer edildi. En düşük omik kontak direnci, in elementi için 200 °C ve 2.5 dk tavlama şartlarıyla 2.5+1.4xl0"5 Qcm2 olarak belirlendi. Bu yapı üzerinde altı aya kadar yapılan yaşlanma ölçümlerinde yapının kararlılığının korunduğu görüldü. Bu çalışmada kullanılan diğer kontak malzemelerinin, 175-400 °C sıcaklık aralığında 5 dk süreyle yapılan ısıl işlem sonucunda doğrultucu davranış gösterdiği anlaşıldı ve yüksek kontak dirençleri sebebiyle bu yapılar üzerinde omik kontak ölçümü yapılamadı. XRD {X-Ray Diffraction) tekniğiyle yapılan yapısal karakterizasyon çalışmasında, metal yarıiletken arayüzeyde oluşan InGaTe2 alaşımına ait en düşük pik değerinin, optimum proses şartları olarak belirlenen 200 °C de 2.5 dk süreyle tavlanmış yapıda elde edildiği gözlendi.
0 yorum:
Yorum Gönder