ÖZ
Bu çalışmanın amacı düşük boyutlu yarıiletken heteroyapılarda fotoiletkenlik olaylarının incelenmesidir. Düşük boyutlu yarıiletken yapılar günümüzde modern kuantum aygıtlarının temelini oluşturmaktadır. Dolayısıyla bu yapıların anlaşılması geleceğe yönelik yeni aygıtların tasarımında önemli rol oynamaktadır. Fotoiletkenliğin spektral bağımlılığı ise yarıiletken çalışmalarında önemli bir tekniktir. Hem ışığın soğurulmasını hem de elektronik yük taşıyıcılarının taşınım süreçlerini içeren fotoiletkenliğin foton enerjisine bağlı olarak incelenmesi heteroyapılar hakkında önemli bilgiler vermektedir.
Bu çalışmada Ga1-xAIxAs/GaAs ve Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs kuantum kuyusu sistemlerinin 77 K ve 300 K'de optik karakterizasyonu fotoiletkenlik ölçümü ile yapılmıştır. Yarıiletkenlerin bant aralıkları belirlenmiş ve ekzitonik geçişler gözlenmiştir Ga1- xInxNyAs1-y/GaAs tek kuantum kuyusu sisteminde ayrıca ısıl işlemin optik kaliteye etkisi fotoiletkenlik ölçümleriyle incelenmiştir.
0 yorum:
Yorum Gönder